Discussion:Transistor bipolaire à grille isolée

AdQ

Article proposé comme article de qualité

Le 26 janvier 2007, GaAs a proposé que cet article soit reconnu comme étant un « article de qualité ». Vous pouvez donner votre avis sur cette proposition.

• Voir aussi : Portail:Électricité_et_électronique/Articles_de_Qualité.

--GaAs 28 janvier 2007 à 05:04 (CET)

sources

j'ai trouvé ca, mais argh le document est coincé dans le cache de google : il veut pas sortir ! quelqu'un a une idée ? --Zedh msg 28 janvier 2007 à 15:23 (CET)

J'ai aussi utilisé ça : http://www.elec.gla.ac.uk/groups/dev_mod/papers/igbt/igbt.html --GaAs 29 janvier 2007 à 11:59 (CET)

Bah moi, j'ai trouvé sur le site de MGE:

Utilisation des IGBT dans les ASI. Pas de bol, cela date un peu. Cela m'a quand même étonné de trouver cela sur le site de MGE.

Sur le site de mitsubishi:

Using IGBT module

Sur le site de microchip:

Determining MOSFET Driver Needs for Motor Drive Applications

sur le site de IRF:

IGBT vs. HEXFET Power MOSFETs for Variable Frequency Motor Drives

Application Characterization of IGBTs

IGBT Characteristics

IGBT or MOSFET: Choose Wisely

Si cela ne choque personne, je vais les rajouter en biblio d'ici a ce soir.

Le dernier est déjà mentionné. --GaAs 31 janvier 2007 à 17:18 (CET)

Celui-ci n'est pas mal : Application Note APT0408 - IGBT Technical Overview. --GaAs 4 février 2007 à 18:17 (CET)

Super le lien ! Moi j'ai une thèse en français (suisse pour être précis). C'est pas mal pour mettre les choses au clair : http://biblion.epfl.ch/EPFL/theses/2005/3215/EPFL_TH3215.pdf --Zedh msg 5 février 2007 à 23:37 (CET)

En cherchant autre chose, je suis tombé sur (en) Vinod Kumar Khanna, Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design, Newnes, 2003 (ISBN 0471238457 et 978-0471238454). 105 euros sur amazon. Il doit être bien (bouquin IEEE), mais il est un peu cher pour mon salaire de simple thésard. Bonne chances avec vos IGBT, car moi apres amplificateur électronique j'attaque AOP.Yves-Laurent 9 février 2007 à 15:58 (CET)

Bonjour, trois références sur l'IGBT:

• un peu vieux (1992), mais clair (pour un électricien), les "dispositifs de l'électronique de puissance", Jacques Arnould et Pierre Merle, volume 2, (ISBN 2-86601-308-5), Hermes, Paris. Bonne référence (même si un peu daté à ce que je m'en souviens), qui pousse un peu loin la francisation, appelant l'IGBT "Transistor à Grille Bipolaire", ou TGB.
• Beaucoup plus récent, mais plus scolaire, "Interrupteurs électroniques de puissance", sous la direction de Robert Perret, chapitre 2 (Jean-Michel Li et Pierre Aloisi), (ISBN 2-7462-0671-4), Lavoisier, Hermès, Paris 2003.
• En Anglais, mais complet (malgré une mise en page atroce), "Power Semiconductor Devices", B Jayant Baliga, (ISBN 0-534-94098-6), PWS Publishing Company 1995.

en: User CyrilB

SOA

la commutation ON->OFF avec une charge inductive : lors de cette phase de transition on passe d'un état où un courant stable (et important) I_CE est établi dans la charge et dans le transistor, à un état où le transistor est bloqué. Lorsque la charge est inductive, elle tend à s'opposer à la variation de courant, en imposant au transistor une tension inverse importante. Dans le cas d'un FET, une diode externe dite "de roue libre" permet d'évacuer cette énergie sans griller le transistor par une tension inverse trop importante. Dans le cas de l'IGBT, cette diode est déjà présente dans le composant : il s'agit de la jonction PN du transistor de sortie. Les risques de latching dynamique, ou de claquage par overshoot, existent donc pour ce composant.

Pour clarifier éventuellement:

• « Tension inverse » : plutôt : tension collecteur-émetteur car pour la jonction, dans le sens bloquant, c'est une tension « inverse », mais pour le praticien, une tension inverse serait une tension émetteur positive par rapport au collecteur, comme par exemple lors de la période de conduction (roue libre) de la diode anti-parallèle dans un montage en pont.
• « Dans le cas d'un FET » : dans le cas d'un MOSFET il s'agit de la diode parasite, qui n'est pas externe.

Il me semble que ce raisonnement fait référence au fonctionnement d'un montage en pont, car pour un composant isolé, comme par exemple dans un hacheur simple ou un bras de pont, la diode de roue libre externe est la plupart du temps indispensable. La phrase suivante : Dans le cas de l'IGBT...claquage par overshoot... ne me semble pas claire. Éclairage de lanterne bienvenu . --Daniel D 29 janvier 2007 à 02:31 (CET)

je me suis embourbé cest ça ? Bon j'essaie de retailler tout ça :p --Zedh msg 29 janvier 2007 à 22:34 (CET)

N'exagérons pas . En français on peut utiliser "aire de sécurité" je pense [1]. --GaAs 30 janvier 2007 à 09:48 (CET)

Absolument ! Je recherche actuellement des trucs. --Daniel D 30 janvier 2007 à 23:43 (CET)

Bon, j'ai fait qq chose (pas trop scientifique) à vous de voir. --Daniel D 31 janvier 2007 à 03:11 (CET) L'IP volatile 86.217.27.82 c'est moi (transitoirement) déconnecté

Les déconnexions pendant qu'on bosse en prévisualisant à outrance et les corrections des guillemets (par qui ??? et pour rien) pourtant pris dans la boiboite à outils là juste dessous font partie des trucs « réjouissants » (na), sur Wp. --Daniel D 31 janvier 2007 à 03:25 (CET)

Il faut que tu accepte les koukiz ! --Zedh msg 31 janvier 2007 à 20:38 (CET)

Z'aime pas bien ces bébêtes. --Daniel D 31 janvier 2007 à 21:19 (CET)

Eh, j'aurais juré que c'était un endroit sérieux ici. S'il peut y avoir de l'humour ici, je suis presque réconcilié avec l'humaanité. Continuez. --GaAs 31 janvier 2007 à 22:18 (CET)

Courant de queue (Tail current)

Pour en ajouter une louche, il n'en est pas fait mention. Aucune incidence sur l'AdQ de toutes façons. Intérêt encyclopédique limité, trop hyperpointu, pas bien écrit, etc. --Daniel D 31 janvier 2007 à 15:43 (CET)

Ça mériterait un article à part, comme le courant de recouvrement des diodes, car ça ne concerne pas que les IGBT. --GaAs 31 janvier 2007 à 16:12 (CET)

Comme la SOA, etc. Ça mériterait... si on décidait de le faire, , si on avait envie, si ceux qui énoncent des critiques comment dire... limites sans se donner la peine de... enfin moi ce que j'en dis, finalement les IGBT et le reste, ça va je connais.--Daniel D 31 janvier 2007 à 21:16 (CET)

Courant de queue, courant de recouvrement, j'avoue être un peu démotivé... --GaAs 31 janvier 2007 à 22:08 (CET)

+1 --Daniel D 31 janvier 2007 à 22:11 (CET)

Et pour être honnête, incompétent. --GaAs 31 janvier 2007 à 22:21 (CET)

Bienvenue sur Wikipédia, le pays ou les articles techniques n'ont pas la vie façile. A ce sujet, je vous remercie de contribuer à mon plan de conquête de wikipédia en obligeant les lecteurs à lire des articles d'elec et augmenter ainsi leur niveaux en élec comme cela. Ainsi, on pourra bientôt présenter des articles avec du poil. Yves-Laurent 31 janvier 2007 à 22:25 (CET)

La torture est-elle autorisée pour taper sur forcer le lecteur ? Pour les rédacteurs on a déjà la réponse . Pour le niveau en elec commençons par forcer à la lecture de Loi d'Ohm avant de venir « voter ». Et bienvenu sur Wikipédia, le pays ou les articles sur les chanteurs, musiciens, écrivains, sportifs inconnus et auto-promus, sans oublier les actrices pornos ont leur place. --Daniel D 31 janvier 2007 à 22:45 (CET)

Intro

Perso, afin de rendre l'article plus accessible, je verrai bien le troisieme paragraphe de l'historique:

"Ce composant, en combinant les avantages des technologies précédentes, c'est-à-dire la grande simplicité de commande du transistor à effet de champ MOSFET vis à vis de celle d'un transistor bipolaire, tout en conservant ses faibles pertes par conduction, a permis de nombreux progrès dans les applications de l'électronique de puissance, aussi bien en ce qui concerne la fiabilité et l'aspect économique. Mais surtout, il a permis d'envisager des développements jusqu'alors non viables en particulier dans la vitesse variable et les applications des machines électriques et des convertisseurs de puissance, qui nous accompagnent chaque jour et partout, sans que nous en soyons particulièrement conscients : automobile, trains, métros, bus, avions, bateaux, ascenseurs, électroménager, télévision, domotique, etc."

passer ou être recopier en intro. Yves-Laurent 1 février 2007 à 11:51 (CET)

Oui... enfin coupé en deux, pour aérer. Sinon j'ai lu récemment je ne sais plus ou une recommandation disant que les ref en intro étaient déconseillées puisque le sujet devait être repris dans le corps de l'article (c'est moi le coupable ?). --GaAs 1 février 2007 à 13:29 (CET)

genre ici ?. Enfin bon, dans cette même page, on cite l'article Ban Ki-moon en exemple, et il y a des refs dans l'intro. De même pour les articles cités dans la page de conventions bibliographiques. Wikipédia, c'est un peu le royaume du faite ce que je dis, mais pas ce que je fais. Yves-Laurent 1 février 2007 à 14:15 (CET)

J'ai tenté une modifs sur l'intro. J'ai du commenter un bout de l'ancienne car plus intégrable dans l'intro. On garde la phrase que j'ai collée dans l'intro dans la partie historique? Je n'ai vraiment pas d'avis sur la question. Yves-Laurent 1 février 2007 à 16:59 (CET)

Ou là : Wikipédia:Résumé introductif ? --GaAs 1 février 2007 à 22:05 (CET)

J'aime bien ce paragraphe, et j'ai mis mon avis en application en l'enlevant de l'historique (avant de venir ici voir qu'il en était question, je le confesse), n'hésitez pas à corriger si pas bien . --Daniel D 2 février 2007 à 15:00 (CET)

La formulation « qui nous accompagnent chaque jour et partout, sans que nous en soyons particulièrement conscients » ne fait pas très encyclopédique. Ne pourrait-on pas trouver une formulation équivalente plus concise du type « applications de la vie courante » ? Le fait qu'on n'en soit pas conscient, eh bien, le béotien s'en apercevra tout seul en lisant « applications de la vie courante », surtout avec la liste éloquente qui suit. — Régis Lachaume ✍ 2 février 2007 à 19:24 (CET)

J'ai modifié deux-trois mots pour essayer d'améliorer le français de l'intro. Pour le bout de phrase "tout en conservant ses faibles pertes par conduction", quelqu'un pourrait-il préciser de quoi on parle avec le pronom "ses" : est-ce du transistor bipolaire ? du transistor à effet de champ ? d'un IGBT ? Edhral 10 février 2007 à 16:16 (CET)

plan

je pense qu'il faudrait mettre le chapitres "structures" avant le chapitre "caractéristiques", car sinon on comprend pas les termes utilisés qui sont (devraient être) expliqués dans le chapitre "structure". Ceci dit, vu l'état de ce chapitre, le mettre en avant plan comme ça, on risque de perdre des voix :/ Que faire ? (bonne nuit) --Zedh msg 14 février 2007 à 00:07 (CET)

Pour « structure », changer la présentation pourrait aider (voir ci-dessous), par exemple :

• laisser les premiers paragraphes avant la section « structure NPT »
• accollant les trois images des types de structure côte à côte
• traiter chaque type de structure dans un paragraphe sans faire de sous-section. — Régis Lachaume ✍ 14 février 2007 à 03:06 (CET)

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Vue en coupe d’une cellule élémentaire (planar, PT)

La structure d’un IGBT est basée sur celle d’un MOSFET vertical doublement diffusé : l’épaisseur du support est utilisée pour séparer le drain de la source. Les épaisseurs typiques des wafers sont de l'ordre de 70 à 100µm. Une zone dite d'épitaxie, dopée N-, permet l'apparition d'un canal lorsque des électrons sont injectés par la grille (V_G>0, état passant).

La technique de double diffusion est utilisée pour créer les puits dopés P/P+ à proximité de la source. La présence d'une région dopée P+ diminue le risque de latchup, tou en augmentant la tension de seuil de commutation.

La différence principale entre un MOSFET vertical et un IGBT est l’existence d’une couche de substrat P+ (fortement dopée) côté drain/collecteur. Cette couche injecte des trous dans la couche N-, ce qui a pour effet de diminuer la chute de tension à l’état passant et de le transformer en transistor bipolaire.

À l’état bloqué, c’est la couche N- qui supporte la tension. Cette tension maximale sera d'autant plus importante que la couche N d'épitaxie sera peu dopée et/ou épaisse.

À l'état passant, le courant sera limité par la largeur du canal. Les structures verticales permettent la mise en parallèle de plusieurs cellules élémentaires, de façon à augmenter le courant admissible et diminuer la résistance à l'état passant R_DSon.

Section d’un IGBT Non Punch Through	Section d’un IGBT Punch Through	Section d’un IGBT Punch Through en tranchée
Section d’un IGBT Non Punch Through	Section d’un IGBT Punch Through	Section d’un IGBT Punch Through en tranchée

L’IGBT NPT (sigle anglais : Non Punch Through) à grille plane est la structure la plus simple à réaliser. Elle utilise des puces plus minces, sans couche N+ additionnelle. La transconductance sera moins élevée, il est donc plus robuste en situation de court-circuit.

L’IGBT PT (sigle anglais : Punch Through) à grille plane utilise des puces épaisses comportant une couche tampon N+. Il a en principe une chute de tension plus faible à l’état passant. Cette couche tampon entre la zone d'épitaxie N et la zone d'injection P+ du collecteur permet d'obtenir une distribution du champ électrique trapézoïdal. On trouve également des transistors dénommés DS-IGBT (pour Depletion Stop IGBT), ou FS-IGBT (pour Field Stop IGBT), qui présentent les mêmes caractéristiques que le PT-IGBT, avec une couche tampon moins dopée. Cela permet d'utiliser les technologies de fabrication plus simples d'un NPT-IGBT.

Les structures précédentes dites à grille plane (en anglais : planar) ont l'avantage d'être faciles à réaliser. Néanmoins une technologie dite de grille en tranchée (en anglais : trench) est également utilisée : la zone d’épitaxie est découpée sous la grille de manière à diminuer les phénomènes de latching et permettre ainsi des densités de courant plus importantes. Cette géométrie est aussi plus compacte et généralement plus performante que la géométrie à grille plane.

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— Régis Lachaume ✍ 14 février 2007 à 03:06 (CET)

Pour, pas mal le coup des 3 images cotcot. J'essaie de voir sil y a pas d'autres géométries, pas évident chaque fabricant a ses petites potions magiques, de surcroit plus ou moins secrètes .. c'est tout le probleme des technologies émergentes --Zedh msg 16 février 2007 à 22:14 (CET)

Pour bon ok, la modif est déjà faites, mais m'en cogne : je donne quand même mon avis. Yves-Laurent 17 février 2007 à 21:19 (CET) dsl j'aime pas quand ça traine :/ --Zedh msg 18 février 2007 à 17:45 (CET)

+1 --GaAs 19 février 2007 à 03:46 (CET)

Ah, mais quand même, vos images sont vachement trop scolaires... --GaAs 19 février 2007 à 03:53 (CET)

Tu es dur, tu peux pas savoir combien de temps jai mis sous inkscape pour fusionner 2 carrés :p --Zedh msg 19 février 2007 à 21:39 (CET)

Image soupçonnée de copyvio

Il s'agit de Image:Semitrans3_k.gif, voir sur commons. --GaAs 28 février 2007 à 08:48 (CET)

J'ai envoyé un mail à Semikron, pas encore de réponse :( --Zedh msg 28 février 2007 à 18:59 (CET)

Redirection

D'après cette source [2], on peut associer à l'IGBT, les acronymes (désuets)(?) COMFET (Conductivity Modulated FET), GEMFET (Gain Enhanced MOSFET), IGT (Insulate Gate Transistor). Je me suis permis d'effectuer les redirections vers l'article Transistor Bipolaire à Grille isolée pour COMFET et GEMFET. IGT est utilisé pour l'intolérance au glucose actuellement. Odd 3 septembre 2008 à 17:36 (CEST)

Contestation du label

Cet article n’a plus le niveau, je vais demander le retrait du BA. --GaAs (d) 11 octobre 2012 à 22:02 (CEST)

Le plus simple serait d'éviter ces discussions et d'enlever cette « étoile » disgracieuse, en même temps cela épargnerait cet article et les contributeurs qui le suivent (ou pas). Daniel*D 11 octobre 2012 à 23:30 (CEST)

Oui ? Ça c’est facile. --GaAs (d) 12 octobre 2012 à 03:15 (CEST)

Liens externes modifiés

Bonjour aux contributeurs,

Je viens de modifier 1 lien(s) externe(s) sur Transistor bipolaire à grille isolée. Prenez le temps de vérifier ma modification. Si vous avez des questions, ou que vous voulez que le bot ignore le lien ou la page complète, lisez cette FaQ pour de plus amples informations. J'ai fait les changements suivants :

• Ajout de la balise {{dead link}} à http://www.infineon.com/upload/Document/Datenblatt_T3101N.pdf
• L'archive https://web.archive.org/web/20140811211146/http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-AN2012_08_RC_IGBT_for_Inductive_cooking-AN-v1.0-en.pdf?folderId=db3a30433a047ba0013a69f8f64c0705&fileId=db3a30433a047ba0013a6ec9c25f6017 a été ajoutée à http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-AN2012_08_RC_IGBT_for_Inductive_cooking-AN-v1.0-en.pdf?folderId=db3a30433a047ba0013a69f8f64c0705&fileId=db3a30433a047ba0013a6ec9c25f6017

SVP, lisez la FaQ pour connaître les erreurs corrigées par le bot.

Cordialement.—InternetArchiveBot (Rapportez une erreur) 8 novembre 2018 à 16:16 (CET)